Програма з дисципліни "Компонентна база радіоелектронної апаратури"



Скачати 464.07 Kb.
Сторінка1/2
Дата конвертації01.01.2017
Розмір464.07 Kb.
  1   2


МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ

ДЕРЖАВНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОМУНІКАЦІЙ

РОБОЧА НАВЧАЛЬНА ПРОГРАМА

з дисципліни



"Компонентна база радіоелектронної апаратури"

(денне навчання, бакалавр)


Київ – 2014



МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ

ДЕРЖАВНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОМУНІКАЦІЙ
"Затверджую"
Директора ННІТ та І

д.т.н., професор С.В. КОЗЕЛКОВ

"____" ___________________ 2014 року


РОБОЧА НАВЧАЛЬНА ПРОГРАМА


з дисципліни

"Компонентна база радіоелектронної апаратури"

напряму підготовки: 6.050901 "Радіотехніка"

освітньо-кваліфікаційного рівня – бакалавр

кваліфікації: бакалавр телекомунікацій

для студентів денної форми навчання


Програму рекомендовано:







Кафедрою ”Радіомоніторингу та радіочастотного менеджменту”

Протокол № 1 ” 28 ” 08 2014 року

Завідуючий кафедрою д.т.н, снс,

____________ В.А. ДРУЖИНІН



Радіотехнологій”

Зав. кафедрою ”Радіотехнологій”


д.т.н, професор
_______________В.Г. САЙКО


Узгоджено:

в.о. начальника навчально-методичного відділу

____________В.В. ГУМЕНЮК

"___" ____________ 2014 року










Київ – 2014



І. ПРЕДМЕТ, МЕТА ТА ЗАВДАННЯ ДИСЦИПЛІНИ
Предметом навчальної дисципліни є:

фізичні основи роботи, принцип дії, будова, характеристики та параметри, моделі та умови експлуатації основних типів, радіо компонентів (активних та пасивних, дискретних та інтегральних).

Наукову основу дисципліни «Компонентна база радіоелектронної апаратури» (КБРЕА) складають закони фізики, теоретичні положення математики, основи теорії кіл, сигнали та процеси у радіотехніці, які відображають процеси, що відбуваються в радіо компонентах та мікросхемах.

Методичну основу дисципліни складає комплекс нормативних документів, які визначають вимоги до навчального процесу та до навчальної діяльності в цілому, а також реалізацію підходу до формування знань, умінь та навичок тих, хто навчається. При цьому використовується достатня кількість теоретичних та практичних видів занять та регулярний контроль за набуттям знань, умінь та навичок студентів.

Місце навчальної дисципліни у системі предметів, що розглядають в контексті підготовки майбутнього фахівця, змістовних та часових міжпредметних зв’язків з суміжними дисциплінами, визначається моделлю професійної діяльності та логікою, яка описує процес становлення фахівця.
Метою вивчення навчальної дисципліни є:

засвоєння принципів побудови, роботи та застосування сучасної елементної бази дискретної та інтегральної електроніки в аналогових та цифрових пристроях систем телекомунікації та зв’язку;

засвоєння основних схемотехнічних рішень функціональних блоків, які використовуються в типових аналогових та цифрових електронних пристроях, методів аналізу, синтезу та моделювання електронних пристроїв інформаційно-комунікаційних систем;

формування базових знань і вмінь з основ схемотехніки для розв’язування виробничих, проектних та наукових задач із телекомунікацій.


Завданнями навчальної дисципліни є формування наступних умінь:

уміти оцінювати характеристики діодів та транзисторів різних типів у дискретному виконанні;

уміти оцінювати характеристики аналогових, аналогово – цифрових та цифрових інтегральних схем, що є базовими компонентами електронних пристроїв;

уміти вирішувати інженерні задачі з аналізу та моделювання лінійних аналогових електронних пристроїв;

уміти вирішувати інженерні задачі з аналізу та моделювання нелінійних аналогових електронних пристроїв.

II. РОЗПОДІЛ НАВЧАЛЬНОГО ЧАСУ

ІІ.1. Розподіл навчального часу за семестрами і видами занять



Семестр

Кредити

Всього

годин


Розподіл навчального часу за видами занять

Семестрова

атестація



Лекц.

Лабор.

Практ.

МК

СРС

3

6

216

36

12

24

4

144




Всього

6

216

36

12

24

4

144

Залік

II.2. Розподіл навчального часу за темами і видами занять



Номери та найменування тем

Всього

годин


Розподіл навчального часу за видами занять

Лекц.

Лабор.

Практ.

Семін.

МК

СРС

МОДУЛЬ 1

Розділ 1. Основи теорії електропровідності електронно-діркових перехдів.

112

18

10

12




2

72

Тема 1. Напівпровідникові матеріали та їх властивості.

2

2
















Тема 2. Будова, характеристики та параметри діодів.

10

4

4

4










МОДУЛЬ 2

Тема 3. Біполярні транзистори.

12

6

4

4










Тема 4. Принцип дії тиристорів.

2

2
















Тема 5. Польові транзистори.

12

4

2

4




2




Теми самостійного вивчення

24
















72

МОДУЛЬ 3

Розділ 2. Інтегральні компоненти.

104

18

2

12




2

72

Тема 6 Оптоелектронні та електровакуумні прилади




4

2













Тема 7. Базові підсилювальні каскади.

4

10




8










МОДУЛЬ 4

Тема 8. Статичні характеристики підсилювачів.

2

4




4




2




Теми самостійного вивчення

10
















72

Всього:

216

36

12

24




4

144

ІІІ ЗМІСТ
МОДУЛЬ 1

Розділ 1 Основи теорії електропровідності електронно-діркових переходів.

Тема 1 Напівпровідникові матеріали та їх властивості.

Предмет і задачі дисципліни. Класифікація і галузі застосування напівпровідникових матеріалів у електроніці. Основні властивості напівпровідникових структур. Класифікація напівпровідникових структур. Основні властивості та характеристики електронно - діркового переходу.


Тема 2 Будова, характеристики та параметри діодів.

Класифікація та будова діодів. Вольт-амперні характеристики діодів, вплив зміни температури на вольт-амперні характеристики діодів. Параметри та моделі діодів. Випрямляючі діоди, різновиди, параметри, характеристики, застосування. Стабілітрони і стабістори, класифікація, параметри, характеристики, застосування.


МОДУЛЬ 2

Тема 3 Біполярні транзистори.

Будова, класифікація, режими роботи біполярного транзистора. Фізичні процеси у біполярному транзисторі, внутрішні параметри та коефіцієнти передачі струму. Схеми включення біполярного транзисторів. Вхідні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільною базою. Вихідні характеристики біполярного транзистора у схемі з спільною базою. Вхідні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним емітером. Вихідні характеристики біполярного транзистора у схемі зі спільним емітером


Тема 4 Принцип дії тиристорів.

Принцип дії, характеристика та параметри діодного тиристора. Принцип дії, характеристика та параметри тріодного тиристора. Різновиди тиристорів


Тема 5 Польові транзистори.

Класифікація польових транзисторів. Будова, принцип дії, характеристики польових транзисторів з керуючим переходом. Фізичні основи роботи, класифікація, будова, принцип дії МДН - транзисторів. Статичні характеристики, параметри, моделі МДН - транзисторів.


МОДУЛЬ 3

Розділ 2 Інтегральні компоненти.

Тема 6 Оптоелектронні та електровакуумні прилади

Електронно-променеві прилади, класифікація, система умовних позначень. Будова, принцип дiї, параметри електронно-променевих трубок, галузі їх застосування. Різновиди індикаторних приладів. Галузі застосування.



Тема 7 Базові підсилювальні каскади.

Підсилювачі. Класифікація, основні параметри та характеристики. Підсилювальний каскад з ЗЕ. Принцип дії. Режим по постійному струму. Малосигнальна еквівалентна схема і підсилювальні параметри підсилювача з ЗЕ.


МОДУЛЬ 4

Тема 8 Статичні характеристики підсилювачів.

Підсилювальний каскад з ЗК. Принцип дії. Режим по постійному струму. Малосигнальна еквівалентна схема і підсилювальні параметри. Підсилювальний каскад з ЗБ. Принцип дії. Режим по постійному струму. Малосигнальна еквівалентна схема і підсилювальні параметри


IV. ТЕМАТИЧНИЙ ПЛАН

№ з/п

Вид

заняття


Всього

годин


Із них

Семестри, модулі, найменування розділів та тем, найменування навчальних занять та навчальні питання, завдання на самостійну роботу

Дидактичне забезпечення занять

Інформаційно- методичне забезпечення

Ауд.

СРС
















МОДУЛЬ 1






















Розділ 1 Основи теорії електропровідності електронно-діркових переходів.






















Тема 1. Напівпровідникові матеріали та їх властивості.







1
Лекція №1

4

2

2

Заняття 1. Р - n перехід та його властивості

Предмет та задачі дисципліни



  1. Класифікація і галузі застосування напівпровідникових матеріалів у електроніці.

  2. Основні властивості напівпровідникових структур.

  3. Класифікація напівпровідникових структур.

  4. Основні властивості та характеристики електронно-діркового переходу.

Мультимедійні слайди.

1, с. 4 – 41.














Тема 2. Будова, характеристики та параметри діодів.







2
Лекція №2

4

2

2

Заняття 2. Будова, характеристики та параметри діодів.

  1. Класифікація та будова діодів.

  2. Вольт-амперні характеристики діодів, вплив зміни температури на вольт-амперні характеристики діодів.

  3. Параметри та моделі діодів.

Мультимедійні слайди.

Зразки напівпровідникових діодів.



1, с. 42 – 79.


3
Лекція №3

4

2

2

Заняття 3. Будова, характеристики та параметри випрямляючих діодів та стабілітронів.

  1. Випрямляючі діоди, різновиди, параметри, характеристики, застосування.

  2. Стабілітрони і стабістори, класифікація, параметри, характеристики, застосування.

Мультимедійні слайди.

Зразки напівпровідникових діодів.



1, с. 42 – 79.


4

Лабораторне заняття №1

4

2

2

Заняття 4. Дослідження статичних характеристик напівпровідникових діодів.

  1. Дослідження прямих та зворотних ВАХ діодів.

  2. Складання звіту за лабораторне заняття №1

Завдання на СРС

Лабораторні установки, вимірювальні прилади.

Методичні вказівки до лабораторного

заняття №1



5

Лабораторне заняття №2

4

2

2

Заняття 5. Дослідження напівпровідникового стабілітрона.

  1. Дослідження ВАХ стабілітронів.

  2. Складання звіту за лабораторне заняття №2

Завдання на СРС

Лабораторні установки, вимірювальні прилади.

Методичні вказівки до лабораторного

заняття №2



6

Практичне заняття №1

8

4

4

Заняття 6. Розрахунок параметрів вольт-амперної характеристики напівпровідникових структур.

1. Розрахунок основних параметрів напівпровідникових структур.

2. Розрахунок параметрів вольт-амперної та вольт фарадної характеристик напівпровідникових структур.

3. Проведення МК1



Зразки напівпровідникових діодів та стабілітронів. завдання на МК1

1, с. 42 – 79.

МОДУЛЬ 2
















Тема 3. Біполярні транзистори.







7

Лекція №4

4

2

2

Заняття 7. Будова біполярного транзистора.

  1. Будова біполярного транзистора.

  2. Класифікація та режими роботи біполярного транзистора.

Мультимедійні слайди.

Зразки напівпровідникових біполярних транзисторів.



1, с. 108 – 143.


8

Лекція №5

4

2

2

Заняття 8. Фізичні процеси у біполярному транзисторі.

  1. Фізичні процеси у біполярному транзисторі, внутрішні параметри та коефіцієнти передачі струму.

  2. Схеми включення біполярного транзистора.

Мультимедійні слайди.

Зразки біполярних транзисторів.



1, с. 108 – 143.


9

Лекція №6

4

2

2

Заняття 9. Вхідні та вихідні характеристики біполярного транзистора.

  1. Вхідні характеристики біполярного транзистора у схемі зі СБ.

  2. Вихідні характеристики біполярного транзистора у схемі зі СБ.

  3. Вхідні характеристики біполярного транзистора у схемі зі СЕ.

  4. Вихідні характеристики біполярного транзистора у схемі зі СЕ.

Мультимедійні слайди.

Зразки напівпровідникових біполярних транзисторів.



1, с. 108 – 143.


10

Лабораторне заняття №3

4

2

2

Заняття 10. Дослідження біполярного транзистора в статичному режимі у схемі зі спільним емітером.

  1. Дослідження біполярного транзистора в статичному режимі у схемі зі спільним емітером.

  2. Складання звіту за лабораторне заняття №3.

Лабораторні установки, вимірювальні прилади.

1, с. 108 – 143.

Методичні вказівки до лабораторного

заняття №3


11

Лабораторне заняття №4

4

2

2

Заняття 11. Дослідження біполярного транзистора в статичному режимі у схемі зі спільною базою.

  1. Дослідження біполярного транзистора в статичному режимі у схемі зі спільною базою

2. Складання звіту за лабораторне заняття №4

Лабораторні установки, вимірювальні прилади.

1, с. 108 – 143.

Методичні вказівки до лабораторного

заняття №4


12

Практичне заняття №2

6

4

2

Заняття 12. Розрахунок параметрів вольт-амперної характеристики напівпровідникових структур.

1. Розрахунок внутрішніх параметрів БТ

2. Розрахунок режимів роботи біполярного транзистора


Зразки біполярних транзисторів

1, с. 108 – 143.
















Тема 4. Принцип дії тиристорів.







13

Лекція №7

4

2

2

Заняття 13. Принцип дії тиристорів та їх різновиди.

  1. Принцип дії, характеристика та параметри діодного тиристора.

  2. Принцип дії, характеристика та параметри тріодного тиристора. Різновиди тиристорів.

Мультимедійні слайди.

Зразки напівпровідникових тиристорів.



1, с. 181 – 189.
















Тема 5. Польові транзистори.







14

Лекція №8

4

2

2

Заняття 14. Польові транзистори.

  1. Принцип дії польових транзисторів.

  2. Класифікація польових транзисторів.

Мультимедійні слайди.

Зразки польових транзисторів.



1, с. 190 – 199.

15

Лекція №9

4

2

2

Заняття 15. Принцип дії польових транзисторів.

  1. Будова, принцип дії польових транзисторів з керуючим переходом.

  2. Характеристики та параметри польових транзисторів з керуючим переходом.

Мультимедійні слайди.

Зразки польових транзисторів.



1, с. 190 – 199.

16

Лабораторне заняття №5

4

2

2

Заняття 16. Дослідження польового транзистора.

  1. Дослідження та побудова характеристик польового транзистора з керованим переходом.

  2. Складання звіту за лабораторне заняття №5

Лабораторна установка, прилади вимірювання.

1, с. 190 – 191.

Методичні вказівки до лабораторної роботи №5



17

Практичне заняття №3

8

4

4

Заняття 17. Застосування польових транзисторів.

  1. Застосування польових транзисторів.

  2. Проведення модульного контролю №2

Бланки вх. та вих. характеристик ПТ. Завдання на МК2

2, с. 130-149


МОДУЛЬ 3
















Розділ 2 Інтегральні компоненти.






















Тема 6. Оптоелектронні та електровакуумні прилади.







18

Лекція №10

8

4

4

Заняття 18. Оптоелектронні та електровакуумні прилади.

  1. Класифікація оптоелектронних приладів.

  2. Будова, принцип дії, характеристики і параметри фото приймачів: фоторезисторів, фотодіодів, фототранзисторів, фототиристорів.

  3. Випромінювальні діоди, будова принцип дії, характеристики, параметри.

  4. Оптопари. Елементи, параметри, система позначень.

Мультимедійні слайди.

2, с. 135-179

7, с. 5-15

8, с. 3-34


19

Лабораторне заняття №6

4

2

2

Заняття 19. Дослідження фотодіода

  1. Дослідження фотодіода.

  2. Складання звіту за лабораторне заняття №6

Лабораторна установка, прилади вимірювання.

1, с. 190 – 191.

Методичні вказівки до лабораторної роботи №6


















Тема 7. Базові підсилювальні каскади.







20

Лекція №11

4

2

2

Заняття 20. Базові підсилювальні каскади.

  1. Підсилювачі на біполярних транзисторах.

  2. Класифікація, основні параметри та характеристики.

Мультимедійні слайди.

2, с. 135-179

7, с. 5-15

8, с. 3-34


21

Лекція №12

6

4

2

Заняття 21. Підсилювальний каскад з ЗЕ.

  1. Підсилювальний каскад з ЗЕ.

  2. Принцип дії. Режим по постійному струму.

Мультимедійні слайди.

2, с. 135-179

7, с. 5-15

8, с. 3-34


22

Лекція №13

4

2

2

Заняття 22. Підсилювальний каскад з ЗБ.

  1. Підсилювальний каскад з ЗБ.

  2. Принцип дії. Режим по постійному струму.

Мультимедійні слайди.

2, с. 135-179

7, с. 5-15

8, с. 3-34


23

Лекція №14

4

2

2

Заняття 23. Підсилювальний каскад з ЗК.

  1. Підсилювальний каскад з ЗК.

  2. Принцип дії. Режим по постійному струму.

  3. Емітерний повторювач.

Мультимедійні слайди.

2, с. 135-179

7, с. 5-15

8, с. 3-34


24

Лекція №15

4

2

2

Заняття 24. Підсилювальні каскади на польових транзисторах.

  1. Підсилювальні каскади на польовому транзисторі.

  2. Принцип дії. Режим по постійному струму..

Мультимедійні слайди.

2, с. 184-189



25

Практичне заняття №4

6

4

2

Заняття 25. Аналіз і розрахунок параметрів транзисторних підсилювальних каскадів.

1. Розрахунок і порівняльна оцінка підсилювальних параметрів каскадів ЗЕ, ЗК, ЗБ.

2. Аналіз причин нестабільності підсилювальних параметрів каскадів ЗЕ, ЗК, ЗБ.


Бланки вхідних та вихідних характеристик ПТ.

2, с. 130-149


26

Практичне заняття №5

6

4

2

Заняття 26. Аналіз і розрахунок параметрів транзисторних підсилювальних каскадів.

  1. Способи стабілізації й оцінка їхньої ефективності.

2. Проведення модульного контролю №3

Бланки вхідних та вихідних характеристик ПТ. Завдання на МК3.

2, с. 130-149


МОДУЛЬ 4
















Тема 8. Статичні характеристики підсилювачів.







27

Лекція №16

8

4

4

Заняття 27. Засоби стабілізації режиму роботи та параметрів базових підсилювальних каскадів

  1. Стабілізація режимів роботи та параметрів підсилювачів

  2. Причини лінійних і нелінійних спотворень підсилюємих сигналів

Мультимедійні слайди.

2, с. 135-179

7, с. 5-15

8, с. 3-34


28

Практичне заняття №6

8

4

4

Заняття 28. Технологічні основи дискретної напівпровідникової
електроніки і мікроелектроніки.

1. Основні технологічні процеси й операції, що використовуються при виготовленні напівпровідникових приладів і інтегральних мікросхем.

2. Методи ізолювання елементів

3. Проведення модульного контролю №4



Зразки напівпровідникових приладів і інтегральних мікросхем. Завдання на МК4.

2, с. 130-149


V. ІНДИВІДУАЛЬНІ ЗАВДАННЯ ТА КОНТРОЛЬНІ ЗАХОДИ
V.1 Індивідуальні завдання

Вид індивідуальних завдань

Тематика індивідуальних завдань

Всього годин

Із них

Ауд.

СРС

Теми та окремі питання, які пропонуються для повністю самостійного, поглибленого вивчення

1. Колонтаєвський Ю.П., Сосков А.Г. Промислова електроніка та мікросхемотехніка: теорія і практикум. /За ред. А.Г.Соскова.- К.: Каравела, 2003, - 368 с.. *

2. Панфилов И. П., Спиридонов Н.С. Полупроводниковые, диоды и транзисторы. ОЭИС, 1984, - 80 с.*

3. Маркировка компонентної бази РЕА**

80

48



16



80

48



16

Всього:




144




144

Примітка: * - матеріал в електронному вигляді можна отримати на кафедрі РРМ, встановлюється на комп’ютер з дискети;

** - матеріал у електронному вигляді можна отримати на кафедрі РРМ, інсталюється на комп’ютер з компакт – диску.

V.2 Контрольні заходи


Вид контрольного заходу

Всього годин

Із них

Ауд. занять

СРС

Модульний контроль 1

21

1

20

Модульний контроль 2

21

1

20

Модульний контроль 3

25

1

24

Модульний контроль 4

25

1

24

Залік за 3 семестр










Всього:

92

4

88


VІ ОРГАНІЗАЦІЙНО-МЕТОДИЧНІ ВКАЗІВКИ
Курс "Компонентна база радіоелектронної апаратури" відноситься до професійно-орієнтованих дисциплін для підготовки бакалаврів за напрямом 6.050901 "Радіотехніка" освітньо-кваліфікаційного рівня – бакалавр, кваліфікації: бакалавр телекомунікацій

. Дисципліна є однією з основних складових у безперервній електротехнічній підготовці студентів за фахом.

Разом з іншими дисциплінами циклу професійної та прикладної підготовки робочого навчального плану вона забезпечує загальне професійне спрямування процесу навчання студентів та їхню підготовку для вивчення інших професійно-орієнтованих дисциплін за переліком програми.

Матеріал навчальної дисципліни базується на знаннях, які отримали студенти у наступних навчальних дисциплінах: вища математика; фізика та хімія..

Основними формами вивчення дисципліни є лекції, практичні заняття, лабораторні роботи, самостійна робота студента.

На лекціях закладаються основи розуміння студентами сутності знань з основ схемотехніки, ставлення до цих знань, визначаються шляхи й способи їх отримання. Лекція повинна організувати творчу думку студентів, активізувати їх роздуми над тією чи іншою проблемою з навчальної дисципліни. Стежачи за логікою викладення лекції, яка не копіює підручник, а висвітлює найбільш важливі та складні проблеми теми, студенти повинні вчитися усвідомлювати основні поняття та положення курсу, самостійно виділяти та засвоювати головне.

Студентам рекомендується уважно прослухати та записати план лекції, стежити за ходом викладу відповідно до плану, за переходом від однієї частини плану до іншої. Головні тези лекції лектор виділяє різними засобами: затриманням або прискоренням темпу, підвищенням інтонації, більш виразною дикцією, повторенням окремих фраз, вказівкою, щоб студенти записали дане визначення або положення, своїми записами на дошці і т. ін.

Конспект лекції повинен представляти скорочений запис, за яким за допомогою активної думки та пам'яті виділяється головне. Нові поняття, визначення та найбільш інформативні висновки слід записувати повністю. Це ж стосується різноманітних схем, які наводяться викладачем у процесі викладення матеріалу. Слід також застосувати певні загальноприйняті скорочення записів.

Практичні заняття сприяють подальшому засвоєнню і закріпленню матеріалу по темах. На практичні заняття відбирається такий навчальний матеріал, який забезпечує практичне використання знань, здобутих на лекціях. Задачі практичних занять, як правило, мають прикладний характер, зв'язаний з побудовою апаратури зв'язку. В кінці заняття викладач виставляє в журнал оцінки і проводить аналіз заняття, на якому відмічає: ступінь підготовленості групи до занять; ступінь засвоєння матеріалу; характерні помилки та їх аналіз; найбільш і найменш підготовлених студентів.

Лабораторні заняття, як правило, являються заключним заняттям по темі. На занятті студентам прищеплюються навички експериментальних досліджень основних характеристик та параметрів елементної бази та пристроїв радіоелектронної техніки, техніки зв'язку, ставляться задачі засвоєння методики вимірювання параметрів і придбання навичок в роботі з вимірювальною апаратурою. До початку роботи практикується проведення попереднього опитування за темою даного заняття.

Самостійна робота студента, організується у відповідності з навчальною програмою курсу. При цьому студенти мають встановити, які питання програми і в якому обсязі висвітлені в лекції, а які частково залишаються для самостійної роботи. Для полегшення роботи викладач може назвати ці питання, а також рекомендувати основну та додаткову літературу, дати методичні поради. Для самостійної роботи студентів разом з рекомендованою літературою доцільно користуватися електронними версіями підручників, посібників, документів, словників та довідників, підготовленими на кафедрі та представленими в Інтернеті, інформаційній мережі університету або на оптичних дисках.

Контроль знань студентів проводиться за допомогою засобів модульного контролю. Головна мета контролю – визначення якості засвоєння студентами навчального матеріалу для практичного застосування та втілення у процесі фахової діяльності майбутнього спеціаліста телекомунікацій

Підготовка до модульного контролю спирається на використання навчальної програми з дисципліни, а також кваліфікаційних завдань відповідного виду контролю.

Модульний контроль складається з індивідуального виконання кваліфікаційного завдання згідно фонду кваліфікаційних завдань за Модулем та відповіді – бесіди з викладачем. Відповідь студента повинна бути стислою та вичерпною за змістом. Він зобов'язаний показати уміння правильно формулювати основні поняття, розуміти сутність принципів, що лежать в основі побудови електронних пристроїв.

VII. Інформаційно-методичне забезпечення


  1. Толюпа С.В., Розорінов Г.М., Пампуха І.В. Основи схемотехніки. Навчальний посібник. – К.: ДУІКТ, 2010.-260 с.

  2. Толюпа С.И., Пампуха І.В. Напівпровідникові елементи електронних засобів інфокомунікаційних систем та мереж. Навчальний посібник. -К.: ДУІКТ.2010. – 216с.

  3. Толюпа С.И., Софієнко І.І. Основи схемотехніки. Напівпровідникові прилади електронніх засобів спеціального зв’язку та захисту інформації. Навчальний посібник. – К.: ВІТІ НТУУ”КПІ”, 2010. -216с.

  4. Цифрова обробка аудіо- та відеоінформації у мультимедійних системах: Навчальний посібник. – К.: Наукова думка, 2008. – 145 с.

С
Наявність, екз.

бібл. ДУІКТ каф. РРМ

писок літератури

Основна

1. Панфилов И. П., Спиридонов Н.С. Полупроводниковые, 120 10



диоды и транзисторы. ОЭИС, 1984, - 80 с.

2 Опадчий Ю.Ф. и др. Аналоговая и цифровая 200

электроника. (Полный курс): Учебник для вузов /Под ред.

О.П. Глудкина. - М.: Горячая линия - Телеком, 1999, - 768 с.

3 Валенко В.С. Полупроводниковые приборы и основы

схемотехніки электронных устройств. /Под ред. А.А. Ровдо.

- М.: Издательский дом, 2001, - 368 с. *

4 Ефимов И.Е. и др. Основы микроэлектроники,

-М.: Высшая школа,1983, - 312 с. 200

5 Мігулін І.М. Основи схемотехніки електронних пристроїв. 150

–К.: УДАЗ, 1995, – 69 с.

6 Мігулін І.М., Уваров Р.В. Елементи цифрових пристроїв. 50

–К.: ДУІКТ, 2003, - 53 с.

7 Мигулин И.Н. Усилители на биполярных и полевых 100

транзисторах. –К.: ОЭИС, 1981,- 85 с.

8 Мигулин И.Н. Усилители мощности и специальные 100

схемы усилителей. –К.: ОЭИС, 1982.- 77 с.

9 Радиоприемные устройства. /Под ред. А.Г. Зюко

–М.: Связь, 1975, - 400 с 95

10 Радиопередающие устройства. /Под ред. В.В. Шахгильдяна

–М.: Связь, 1980, - 325 с 75

11 Методичні вказівки до виконання курсової роботи з дисциплін

“Основи схемотехніки”, “Аналогові пристрої”. –К.: ДУІКТ, 2005, - 21 с *, 50
Примітка:* - матеріал в електронному вигляді можна отримати на кафедрі РРМ.
Додаткова
Довідники


  1. Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы. Справочник /Под ред. С.В. Якубовского. –М.: Радио и связь, 1984, – 432 с.

  2. Интегральные микросхемы. Справочник. /Под ред. Б.В. Тарабрина. –М.: Энергоатомиздат, 1985, - 528 с.

  3. Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Справочник /Под ред. Б.П. Перельмана. –М.: Радио и связь, 1981, – 656 с.

  4. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник /Под ред. Н.Н. Горюнова. –М.: Энергоиздат, 1982, - 904 с.

  5. Справочник. Мощные полупроводниковые приборы. Транзисторы. /Под ред. А.В. Голомедова. –М.: Радио и связь, 1985, - 560 с.

  6. Григорьев О.П. и др. Транзисторы. Справочник. –М.: Радио и связь, 1989, - 272 с.

  7. Григорьев О.П. и др. Диоды. Справочник. –М.: Радио и связь, 1990, - 336 с.

  8. Справочник по электрическим конденсаторам. /Под ред. И.И. Четверткова и В.Ф. Смирнова. –М.: Радио и связь, 1983, 575 с.

  9. Резисторы. Справочник. /Под ред. И.И. Четверткова и В.М. Теренова. -М.: Радио и связь, 1991, - 527 с.

Посібники

для самостійного поглибленого вивчення дисципліни


  1. Колонтаєвський Ю.П., Сосков А.Г. Промислова електроніка та мікросхемотехніка: теорія і практикум. /За ред. А.Г.Соскова.- К.: Каравела, 2003, - 368 с.

  2. Кардашев Г.А. Виртуальная электроника. Компьютерное моделирование аналоговых устройств. - М.: Горячая линия - Телеком, 2002, - 260 с.

  3. Карлащук В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. – М.: Солон-Р, 1999, – 506с.

  4. Разевиг В.Д. Применение программ P-CAD и P-Space для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. В 4-х вып. –М.: Радио и связь, 1989, - 387 с.

  5. Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования Micro-Cap V. –М.: Солон, 1997, – 273 с.

  6. Разевиг В.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств Design Lab 8.0. –М.: Солон, 1999, – 698 с.

  7. Сентурия, Уэдлок. Электронные схемы и их применение. Под ред. М.Д. Карасева. – М.: Мир, 1977, с. 600.

Структурно-логічна схема вивчення навчальної дисципліни



9

10

11

12

13

14

1

2

3

4

Метрологія, стандартизація, сертифікація, акредитація



Тема 1


Напівпровідникові матеріали та їх властивості.

1

Вища математика







Тема 2


Будова, характеристики та параметри діодів.

Монтаж та вимірювання пристроїв зв’язку












Тема 3

Біполярні транзистори.


Електроживлення систем зв’язку

2

Фізика



Тема 4

Принцип дії тиристорів.





Тема 5


Польові транзистори

Телекомуніка-ційні та інформаційні мережі зв’язку







Система комутації електрозв’язку





3

Хімія та електрома-теріали


Тема 6


Оптоелектронні та електровакуумні прилади.




Система та мережі радіо та телевізійного мовлення









Тема 7

Базові підсилювальні каскади.

Систем документаль-ного електрозв’язку




  1   2


База даних захищена авторським правом ©lecture.in.ua 2016
звернутися до адміністрації

    Головна сторінка