Форма № н 04 Вінницький національний технічний університет (повне найменування вищого навчального закладу) Кафедра електроніки «затверджую»



Скачати 221.04 Kb.
Дата конвертації05.03.2017
Розмір221.04 Kb.
ЗАТВЕРДЖЕНО

Наказ Міністерства освіти і науки,

молоді та спорту України

29 березня 2012 року № 384



Форма № Н - 3.04
Вінницький національний технічний університет

(повне найменування вищого навчального закладу)

Кафедра електроніки

«ЗАТВЕРДЖУЮ»

Перший проректор з науково-педагогічної роботи по організації навчального процесу та його науково-методичного забезпечення

__________ Романюк О. Н.

“_____”______________20___ року




РОБОЧА ПРОГРАМА НАВЧАЛЬНОЇ ДИСЦИПЛІНИ


Нові напрямки розвитку мікро- та наноелектроніки

(шифр і назва навчальної дисципліни)

напрям підготовки 6.050801 – мікро- та наноелектроніка .

(шифр і назва напряму підготовки)

спеціальність 7.05080101 – мікро- та наноелектронні прилади і .

пристрої .

(шифр і назва спеціальності)

спеціалізація____________________________________________________________

(назва спеціалізації)

Інститут радіотехніки, зв’язку та приладобудування

2013 рік


Робоча програма дисципліни «Нові напрямки розвитку мікро- та наноелектроніки» для студентів

за напрямом підготовки 6.050801 – мікро- та наноелектроніка .,

спеціальністю 7.05080101 – мікро- та наноелектронні прилади і пристрої .

2013. – 10 с.

Розробив: Осадчук В.С., професор кафедри електроніки, д.т.н., професор

Робоча програма затверджена на засіданні кафедри електроніки

Протокол від «____»________________20__ року № ___

Завідувач кафедри ___________________(проф. Білинський Й. Й.)

(підпис) (прізвище та ініціали)

Схвалено методичною комісією Інституту радіотехніки, зв’язку та приладобудування

Протокол від «____»________________20___ року № ___

Голова методичної комісії Ін РТЗП_______________(проф. Кичак В.М.)

(підпис) (прізвище та ініціали)

Схвалено Методичною радою ВНТУ

Протокол від «____»________________20___ року № ___

Голова____________________________ (проф. Романюк О. Н.)

(підпис) (прізвище та ініціали)

 В. С. Осадчук , 2013 р.

 ВНТУ, 2013 рік

1. Опис навчальної дисципліни

Найменування показників

Галузь знань, напрям підготовки, освітньо-кваліфікаційний рівень

Характеристика навчальної дисципліни

денна форма навчання

заочна форма навчання

Кількість кредитів – 2,5

Галузь знань

_0508 – електроніка .

(шифр і назва)


За вибором

Напрям підготовки

_6.050801 – мікро- та .



наноелектроніка __

(шифр і назва)



Модулів – 2

Спеціальність (професійне

спрямування): 7.05080101–



мікро- та наноелектронні_

прилади і пристрої _

(шифр і назва)



Рік підготовки:

Змістових модулів – 2

1

2

Індивідуальне науково-дослідне завдання контрольні роботи, що виконуються під час СРС

Триместр

Загальна кількість годин - 90

2

3

Лекції

Тижневих годин для денної форми навчання:

аудиторних – 3

самостійної роботи студента – 6


Освітньо-кваліфікаційний рівень: спеціаліст


20 год.

8 год.

Практичні, семінарські

Не передбачені

Лабораторні

10 год.

Не передбачені

Самостійна робота

60 год.

82 год.

Вид контролю: іспит

Примітка.

Співвідношення кількості годин аудиторних занять до самостійної і індивідуальної роботи становить:

для денної форми навчання – 33,3% - 66,7%,

для заочної форми навчання – 8,9% - 91,1%




  1. Мета та завдання навчальної дисципліни

    1. Метою викладання навчальної дисципліни «Нові напрямки розвитку мікро- та наноелектроніки» є засвоєння теоретичних основ нових напрямків розвитку мікро- та наноелектроніки, набуття практичних навичок розрахунку параметрів мікро- та наноелектронних приладів.

    2. Основними завданнями дисципліни є:

  • поглиблення рівня знань у галузі мікро- та наноелектроніки;

  • набуття студентами розуміння фізичних основ нових напрямків розвитку мікро- та наноелектроніки і вміння їх використовувати для розрахунку параметрів приладів;

  • визначення особливостей умов роботи мікро- та наноелектронних приладів.

    1. Згідно з вимогами освітньо-професійної програми студенти повинні:

  • знати:

фізичні явища, які лежать в основі нових напрямків розвитку мікро- та наноелектроніки; основні розрахункові співвідношення для розрахунку параметрів мікро- та наноелектронних приладів; вольт-амперні характеристики мікроелектронних та наноелектрониих приладів; частотні та імпульсні властивості мікро- та наноелектронних приладів, що належать до нових напрямків розвитку мікро- та наноелектроніки.

  • вміти:

використовувати в конкретних схемах мікроелектроніки лавинно-прогонні, тунельно-резонансні діоди та діоди Ганна; вміти використовувати високотемпературні надпровідники та елементи з гігантським магнітоопором в схемах конкретних приладів; вміти практично оцінювати параметри мікро- та наноелектронних приладів; користуватися теорією і методами математичного аналізу для розрахунків параметрів і конструкцій приладів в рамках нових напрямків розвитку мікро- та наноелектроніки.

3. Програма навчальної дисципліни

Змістовий модуль 1. Нові напрямки розвитку мікроелектроніки

Тема 1. Вступ. Передумови появи нових напрямків розвитку мікро- та наноелектроніки.

Тема 2. Ефект Ганна та прилади на його основі.

Тема 3. Лавинно-прогонні діоди.

Тема 4. Високотемпературна надпровідність.

Тема 5. Діелектрична електроніка.

Змістовий модуль 2. Нові напрямки розвитку наноелектроніки

Тема 6. Тунельно-резонансний ефект.

Тема 7. Тунельний ефект в наноструктурах.

Тема 8. Одноелектронні транзистори.

Тема 9. Транзистори на гарячих електронах.

Тема 10. Спінтроніка.

  1. Структура навчальної дисципліни

Назви змістових модулів і тем

Кількість годин

денна форма

Заочна форма

усього

у тому числі

усього

у тому числі

л

п

лаб

інд

с.р.




л

п

лаб

інд

с.р.

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

Модуль 1

Змістовий модуль 1. Нові напрямки розвитку мікроелектроніки

Тема 1. Вступ. Передумови появи нових напрямків розвитку мікро- та наноелектроніки.

7

2

1

-

-

4

6,5

0,5

-

-

-

6

Тема 2. Ефект Ганна та прилади на його основі.

7

2

1

-

-

4

7

0,5

-

-

-

6,5

Тема 3. Лавинно-прогонні діоди.

7

2

1

-

-

4

7,5

1

-

-

-

6,5

Тема 4. Високо-температурна надпровідність.

8

2

1

-

-

5

7,5

1

-

-

-

6,5

Тема 5. Діелектрич-на електроніка.

7

2

1

-

-

4

7,5

1

-

-

-

6,5

Разом за змістовим модулем 1.

36

10

5

-

-

21

36

4

-

-

-

32

Модуль 2

Змістовий модуль 2. Нові напрямки розвитку наноелектроніки

Тема 6. Тунельно-резонансний ефект.

11

2

1

-

-

8

9

0,5

-

-

-

8,5

Тема 7. Тунельний ефект в наноструктурах.

11

2

1

-

-

8

9

0,5

-

-

-

8,5

Тема 8. Одно-електронні транзистори.

11

2

1

-

-

8

9

1

-

-

-

8

Тема 9. Транзисто-ри на гарячих електронах.

11

2

1

-

-

8

9

1

-

-

-

8

Тема 10. Спінтроніка.

10

2

1

-

-

7

10

1

-

-

-

9

Контрольна робота для студентів заоч-ної форми навчання

-

-

-

-

-

-

8

-

-

-

К/р І -8 год

-

Разом за змістовим модулем 2.

54

10

5

-

-

39

54

4

-

-

8

42

Усього годин


90

20

10

-

-

60

90

8

-

-

8

74



  1. Теми семінарських занять

(не передбачено)

з/п


Назва теми

Кількість годин

1







2









  1. Теми практичних занять

з/п


Назва теми

Кількість годин

1

Розрахунок параметрів діодів Ганна та лавинно-прогонних діодів

2

2

Розрахунок параметрів високотемпературних надпровідників.

2

3

Резонансне тунелювання через квантову яму з подвійним бар'єром. Розрахунок характеристик тунельно-резонансного діода.

2

4

Розрахунок параметрів та характеристик одноелектронних транзисторів

2

5

Розрахунок параметрів транзисторів на гарячих електронах. Гігантський магнітоопір

2


7. Теми лабораторних занять

(не передбачено)

з/п


Назва теми

Кількість годин

1







2







8. Самостійна робота

з/п


Назва теми

Кількість

годин


1

Фізичний механізм вільного пробігу електронів у напівпровідниках і металах в нанометровому масштабі.

7

2

Енергетичний спектр та хвильові функції електронів і дірок в напівпровідникових наногетероструктурах.

7

3

Квантово-розмірний ефект Штарка.

7

4

Температурна залежність опору високотемпературного надпровідного переходу.

7

5

Тунелювання носіїв заряду. Структури з вертикальним перенесенням та квантові надрешітки.

8

6

Транспорт носіїв у вузьких каналах та квантування провідності. Квантовий точковий ефект.

8

7

Маніпулювання спінами носіїв заряду в напівпровідниках. Ефект Кондо.

8

8

Гігантський магнітоопір в нанокомпозитних матеріалах.

8


9. Індивідуальні завдання

Робочим навчальним планом передбачена 1 контрольна робота для студентів заочної форми навчання. Крім того, за рішенням кафедри студенти готують реферати з окремих тем курсу та доповіді на щорічну науково-теоретичну конференцію викладачів, співробітників та студентів ВНТУ.


10. Методи навчання

Лекція, проблемна лекція, демонстрація, зокрема, з використанням мультимедійних засобів навчання, підготовка рефератів, доповідей науково-дослідного характеру, зокрема, на щорічну науково-технічну конференцію викладачів, співробітників та студентів ВНТУ.



11. Методи контролю

Поточний контроль, який здійснюється у формі фронтального, індивідуального чи комбінованого контролю знань студентів під час практичного та лекційного заняття, тестування, колоквіум, контрольна робота (для студентів заочної форми навчання), іспит.


12. Розподіл балів, які отримують студенти

Поточне тестування та самостійна робота

Підсумковий тест (екзамен)

Сума

Змістовий модуль 1

Змістовий модуль 2

26 балів

100

Т1

Т2

Т3

Т4

Т5

Т6

Т7

Т8

Т9

Т10







37 балів

37 балів

Т1, Т2 ... Т10 – теми змістових модулів.
Шкала оцінювання: національна та ECTS

Таблиця 1



Сума балів за всі види навчальної діяльності

Оцінка ECTS

Оцінка за національною шкалою

для екзамену, курсового проекту (роботи), практики

для заліку

90 – 100

А

відмінно

зараховано

82-89

В

добре

74-81

С

64-73

D

задовільно

60-63

Е

35-59

FX

незадовільно з можливістю повторного складання

не зараховано з можливістю повторного складання

0-34

F

незадовільно з обов’язковим повторним вивченням дисципліни

не зараховано з обов’язковим повторним вивченням дисципліни

Таблиця 2 - Кількість і зміст модулів



Модуль


Кредити

Лекції

(год.)


Лаб.

роботи.


Кількість (роб./год)

Практичні

заняття


(семінари)

(год.)


Конт-рольна робота

Колок-віуми

І

1

10



5



1

ІІ

1,5

10



5



1

Таблиця 3 – Оцінювання знань, умінь та навичок студентів з окремих видів роботи та в цілому по модулях (в балах)

Вид роботи

Модуль

1

2

  1. Виконання практичних завдань /1 завдання - 3/

6

6

  1. Активна робота на лекційних заняттях / 1 завдання - 2/

10

10

  1. Активна самостійна робота / 1 завдання – 3/

12

12

  1. Колоквіуми /1 колоквіум – 9/

9

9

Всього

37

37

13. Методичне забезпечення

Навчально-методичний комплекс дисципліни, до складу якого входять:

  1. Навчальна програма дисципліни «Нові напрямки розвитку мікро- та наноелектроніки».

  2. Робоча програма дисципліни «Нові напрямки розвитку мікро- та наноелектроніки».

  3. Робочий план дисципліни на поточний триместр.

  4. Опорний конспект лекцій.

  5. Осадчук В.С. Основи функціональної електроніки. – Вінниця: Універсум-Вінниця, 1998. – 244 с.



14. Рекомендована література

Базова

  1. Мартинес-Дуарт Дж. М., Мартин-Палма Р. Дж. и др. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. – Москва: Техносфера, 2007. – 368 с.

  2. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридин В.А. Основы наноэлектроники: Учеб. пособие. – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2000. – 332 с.

  3. Соляник С.П. Перспективные направления функциональной микроэлектроники: учеб. пособие / С.П. Соляник, В.Е. Небогатых, А.С. Потапов. – Владивосток: ДВГТУ, 2009. – 103 с.

Допоміжна

  1. Ткалич В.Л., Макеева А.В., Оборина Е.Е. Физические основы наноэлектроники: Учеб. пособие. – СПб: СПбГУ ИТМО, 2011. – 83с.

  2. Щука А.А. Наноэлектроника. – М.: Физматкнига, 2007. – 464 с.

15. Інформаційні ресурси

  1. Microelectronics: [Електронний ресурс]. Режим доступу: http://www2.elo.utfsm.cl/~lsb/elo102/datos/microelectronics.pdf (дата звернення 10.10.2012). – Назва з екрана.

  2. Объекты, относящиеся к сфере нанотехнологий, их свойства: [Електронний ресурс]. Режим доступу: http://nano.fcior.edu.ru/catalog/meta/1/p/page.html (дата звернення 10.10.2012). – Назва з екрана.

  3. Продукция, изготовленная с применением нанотехнологий: [Електронний ресурс]. Режим доступу: http://nano.fcior.edu.ru/catalog/meta/3/p/page.html (дата звернення 10.10.2012). – Назва з екрана.

  4. Journal of Nanotechnology: [сайт]. Режим доступу: http://www.hindawi.com/journals/jnt/ (дата звернення 10.10.2012). – Назва з екрана.

  5. Спинтроника – электроника следующего поколения: [Електронний ресурс]. Режим доступу: http://itc.ua/articles/spintronika_jelektronika_sleduyushhego_pokoleniya_11278/ (дата звернення 10.10.2012). – Назва з екрана.


База даних захищена авторським правом ©lecture.in.ua 2016
звернутися до адміністрації

    Головна сторінка